В конце июня компания Intel представила свой первый SSD на базе 64-слойной 3D TLC NAND флеш-памяти — Intel SSD 545s. Этот SSD с SATA-интерфейсом представляет собой первое запоминающее устройство потребительского уровня, в котором используется новая трёхмерная 64-слойная память второго поколения.
/ Flickr / Laineema / CC
Модель 545s — это наследник прошлогоднего Intel SSD 540s, который должен закрыть определённые пробелы, образовавшиеся в технологической дорожной карте Intel. На рынке потребительских твердотельных накопителей ИТ-гигант в последнее время делал упор на продвижение бюджетных моделей, базировавшихся на контроллерах Silicon Motion. Причём в ряде SSD, например, в том же в Intel SSD 540s, Intel отказывались от использования флеш-памяти собственного производства в пользу планарных чипов от SK Hynix.
Intel SSD 545s же оказывается на ступеньку выше своего предшественника. В запоминающем устройстве используется контроллер SMI SM2259, являющийся улучшенной версией SM2258 с более высокой производительностью. Повышенную скорость работы обеспечивает и новая IMFT 3D TLC NAND второго поколения, обладающая вдовое большим количеством слоев. Контроллер также работает с ECC-памятью — это делает 545s более устойчивым к повреждениям данных.
Для 512-гигабайтного Intel SSD 545s производитель указывает скорость последовательного чтения 550 Мбайт/с, а записи — 500 Мбайт/с. В случае произвольного чтения производительность накопителя составляет порядка 75 тыс. IOPS, а при записи — 90 тыс. IOPS. По словам представителей компании Intel, новый SSD превосходит своего предшественника по показателям быстродействия и способен конкурировать с Samsung 850 EVO и Crucial MX300. Примерно к этому же уровню приведена и цена нового накопителя — $179. По параметрам же «выносливости» Intel SSD 545s своих конкурентов превосходит. Ресурс перезаписи Intel SSD 545s, по оценкам производителя, составит 288 Тбайт.
Накопитель уже поступил в продажу, однако ввиду достаточно скоромных объёмов производства 64-слойной памяти его доступность пока серьёзно ограничена. Сейчас представлен лишь 2,5-дюймовый SSD ёмкостью 512 Гбайт.
Однако Intel планирует использовать более маленькие кристаллы 256Gb 64L TLC для версий SSD 545s всех объемов. Кристалл 512Gb 64L TLC пока не попал в массовое производство, а ИТ-гигант хочет выпустить всю линейку потребительских накопителей на рынок как можно скорее. В дальнейшем модельный ряд Intel 545s пополнится запоминающими устройствами ёмкостью от 128 Гбайт до 2 Тбайт. Правда, конкретные сроки компания Intel все же не назвала.
Отметим, что работу над созданием 3D TLC NAND успешно ведет и компания Toshiba. 11 июля компания сообщила о разработке первой в мире флеш-памяти TLC BiCS FLASH с объемной компоновкой кристаллов с использованием межслойных соединений (Through Silicon Via, или TSV). Образцы будут представлены публике в текущем полугодии.
Инженеры компании объединили 8 кристаллов 48-слойной памяти 3D NAND и создали микросхему объемом 512 Гбайт. По словам производителя, новая память найдет применение в SSD верхнего ценового сегмента.
P.S. А вот еще несколько материалов из нашего блога:
/ Flickr / Laineema / CCМодель 545s — это наследник прошлогоднего Intel SSD 540s, который должен закрыть определённые пробелы, образовавшиеся в технологической дорожной карте Intel. На рынке потребительских твердотельных накопителей ИТ-гигант в последнее время делал упор на продвижение бюджетных моделей, базировавшихся на контроллерах Silicon Motion. Причём в ряде SSD, например, в том же в Intel SSD 540s, Intel отказывались от использования флеш-памяти собственного производства в пользу планарных чипов от SK Hynix.
Intel SSD 545s же оказывается на ступеньку выше своего предшественника. В запоминающем устройстве используется контроллер SMI SM2259, являющийся улучшенной версией SM2258 с более высокой производительностью. Повышенную скорость работы обеспечивает и новая IMFT 3D TLC NAND второго поколения, обладающая вдовое большим количеством слоев. Контроллер также работает с ECC-памятью — это делает 545s более устойчивым к повреждениям данных.
Сравнение спецификаций 545s и 540s
Для 512-гигабайтного Intel SSD 545s производитель указывает скорость последовательного чтения 550 Мбайт/с, а записи — 500 Мбайт/с. В случае произвольного чтения производительность накопителя составляет порядка 75 тыс. IOPS, а при записи — 90 тыс. IOPS. По словам представителей компании Intel, новый SSD превосходит своего предшественника по показателям быстродействия и способен конкурировать с Samsung 850 EVO и Crucial MX300. Примерно к этому же уровню приведена и цена нового накопителя — $179. По параметрам же «выносливости» Intel SSD 545s своих конкурентов превосходит. Ресурс перезаписи Intel SSD 545s, по оценкам производителя, составит 288 Тбайт.
Накопитель уже поступил в продажу, однако ввиду достаточно скоромных объёмов производства 64-слойной памяти его доступность пока серьёзно ограничена. Сейчас представлен лишь 2,5-дюймовый SSD ёмкостью 512 Гбайт.
Однако Intel планирует использовать более маленькие кристаллы 256Gb 64L TLC для версий SSD 545s всех объемов. Кристалл 512Gb 64L TLC пока не попал в массовое производство, а ИТ-гигант хочет выпустить всю линейку потребительских накопителей на рынок как можно скорее. В дальнейшем модельный ряд Intel 545s пополнится запоминающими устройствами ёмкостью от 128 Гбайт до 2 Тбайт. Правда, конкретные сроки компания Intel все же не назвала.
Отметим, что работу над созданием 3D TLC NAND успешно ведет и компания Toshiba. 11 июля компания сообщила о разработке первой в мире флеш-памяти TLC BiCS FLASH с объемной компоновкой кристаллов с использованием межслойных соединений (Through Silicon Via, или TSV). Образцы будут представлены публике в текущем полугодии.
Инженеры компании объединили 8 кристаллов 48-слойной памяти 3D NAND и создали микросхему объемом 512 Гбайт. По словам производителя, новая память найдет применение в SSD верхнего ценового сегмента.
P.S. А вот еще несколько материалов из нашего блога:
Поделиться с друзьями
Комментарии (13)
sumanai
13.07.2017 16:14Ресурс перезаписи Intel SSD 545s, по оценкам производителя, составит 288 Тбайт.
Это для модели на 512ГБ, прошу заметить. Выходит ресурс ячейки около 1000?
censor2005
16.07.2017 11:23288 Тб, приличный ресурс. Это почти 600 полных циклов перезаписи. Конец эры HDD уже близко?
pazazoo
Ну вот. Ещё пара лет и такие накопители будут в свободной продаже. Ещё через 5-10 лет будут телефоны с объемом памяти 512/1024/2048 Гб минимум, и оперативы гигов 128, чтоб обслужить все 96 ядер процессора так, чтоб курсор можно было двигать…
Прогресс, е-мае…
Только вот сколько это будет все стоить, это уже совсем другая история…
m08pvv
А в итоге курсор будет ещё больше тормозить?
serg_p
Кхе — да!!!
pazazoo
Я это и имел ввиду, когда упоминал курсор)
daggert
Стоить я думаю что будет так-же. Еще лет 10 назад диск на 1Тб был диковиной, а в 1998 году у меня был жд на 1200 мегабайт, и это было жесть как много! Цена при этом всегда была одинаковая — в районе 3к рублей (если память не подводит).
А вот тормоза да, не уйдут, ибо индусы скажут «Оптимизация? Зачем? Тут ресурсов тонны!»
pazazoo
Ресурсы есть — оптимизации нет. Получается, прогресс стоит на месте… Сравнить те же Android и iOS. На второй оперативы гиг с оптимизацией, как 2/3/4 гига на первом.
Оптимизация — двигатель прогресса.
daggert
Согласен с вами. Живу с телефоном на W10 с 1 гигом оперативки, который не глючит…
eugenebabichenko
Ну они в итоге сделали 2 гигабайта. Правда, по моим впечатлениям это нужно, чтобы больше открытых задач и вкладок в браузере держать.
green_wizard_987
Чем больше товара будет на рынке, тем меньше стоимость. Будут бороться за удешевление технологии производства. А насчёт крутой производительности: имхо, она будет скомпенсирована более высокоуровневыми средствами разработки, на мой взгляд.