Американская компания-разработчик электротехники и микроэлектроники Dialog Semiconductor, которая производит в том числе микросхемы для iPhone, предоставила лицензию на свою технологию резистивной оперативной памяти компании GlobalFoundries – американскому гранду полупроводниковых интегральных микросхем.

А до этого резистивную оперативную память (ReRAM) начала выпускать российская компания «Крокус Наноэлектроника».

В этом году Dialog Semiconductor приобрела компанию Adesto Technologies, которая 6 лет назад представила технологию памяти ReRAM. Технология, разработанная Adesto Technologies, отличается низким энергопотреблением. Это позволяет использовать её для интернета вещей и связи 5G, для приложений искусственного интеллекта. Кроме того, её можно использовать в автомобилях, в промышленности. ReRAM позволяет сохранить данные в случае обесточивания устройства.

Резистивную оперативную память по лицензии Dialog Semiconductor компания GlobalFoundries будет производить для своей платформы 22FDX.

Ранее российская компания «Крокус Наноэлектроника» (КНЭ) купила лицензию на производство ReRAM-памяти у Adesto Technologies и начала ее производить этим летом. КНЭ использует технологию с целью интеграции российских чипов в инновационные продукты перспективных областей микроэлектроники: для интернета вещей, систем искусственного интеллекта, промышленной автоматизации, портативной и медицинской техники.

На данный момент в Технополисе «Москва» находится это единственное в России предприятие, которое серийно выпускает энергонезависимую память нового поколения по 55-нанометровой технологии. Первым продуктом с микросхемой памяти будут чипы радиочастотной идентификации UHF RFID.

Первые образцы имеют объём памяти 1 Мбит, и могут быть позже масштабированы до 128. Казалось бы, 1 Мбит – очень мало. Но для сравнения, Panasonic выпускает контроллеры с блоком встроенной памяти ReRAM объёмом 256 Кбайт, то есть 2 Мбит. А 1 Мбита уже достаточно для многих целей.

ReRAM (Resistive RAM) – одна из разновидностей энергонезависимой памяти с произвольным доступом, использующая изменение сопротивления ячейки для хранения и считывания из нее информации. Одна из разновидностей ReRAM – CBRAM (именно ее разработала Adesto Technologies). Между двумя электродами расположен слой диэлектрика, изначально имеющий высокое сопротивление. При прикладывании напряжения в нем появляются токопроводящие нити. При изменении полярности приложенного напряжения эти токопроводящие линии разрушаются. В случае CBRAM в аморфный кремний внедряются атомы меди или серебра для создания токопроводящих мостиков. При появлении на электродах напряжения, ионы металла выстраиваются в мостик, по которому и проходит ток.