На днях стало известно, что два крупнейших производителя оперативной памяти — компании Samsung и SK hynix — решили остановить линии, специализировавшиеся на выпуске DDR3. Вместо этого освободившиеся мощности планируется использовать для расширения объёмов выпуска ИИ-оптимизированной памяти HBM3. Что это за технология и почему HBM3 требуется много, читайте ниже.

Что за HBM3 и зачем она нужна?

Это далеко не новая технология, заявление о начале массовых поставок памяти компания SK hynix сделала ещё в середине 2022 года. На тот момент HBM3 была наиболее производительной в отрасли памятью DRAM. Массовый выпуск стартовал спустя семь месяцев после анонса самой технологии. Первым продуктом с HBM3 стал ускоритель Nvidia H100 на GPU поколения Hopper. Система оснащена сразу 80 Гб памяти HBM3 с пропускной способностью до 3 ТБ/с. Поставки ускорителей начались в третьем квартале того же года.

HBM, или память с высокой пропускной способностью, представляет собой высокопроизводительную память, которая вертикально соединяет несколько микросхем DRAM и значительно увеличивает скорость обработки данных по сравнению с традиционными продуктами DRAM. HBM3 DRAM — это продукт HBM 4-го поколения, пришедший на смену HBM (1-го поколения), HBM2 (2-го поколения) и HBM2E (3-го поколения).

HBM обеспечивает более высокую пропускную способность при сниженном расходе энергии и существенно меньших размерах по сравнению с DDR4 или GDDR5. Это достигается путём объединения в стек до восьми интегральных схем DRAM (включая опциональную базовую схему с контроллером памяти), которые соединены между собой с помощью сквозных кремниевых межсоединений (англ. Through-silicon via) и микроконтактных выводов (англ. microbumps).

Нужна она в первую очередь для того, чтобы обеспечить быструю обработку всё возрастающих объёмов данных. Применяется чаще всего в корпоративном сегменте, среди крупнейших производителей ИИ-ускорителей и других систем.

В 2023 году компания SK hynix получила заказы сразу до 2024 года относительно производства HBM3 и более совершенного типа памяти, HBM3E. Компания тогда заявила, что собирается наращивать объёмы производства на 60-80% каждый год. Дело в том, что эксперты прогнозировали ежегодный рост серверов с HBM примерно на 40%.

А что с DDR3?

Если коротко, то всё: SK hynix и Samsung не собираются производить чипы для этого вида памяти. Будет какой-то переходный период, но не слишком долгий. Правда, остаются ещё другие поставщики, которые станут выпускать DDR3, так что переживать пока не стоит.

DDR3 всё ещё используется сегодня для нишевых устройств, которым не требуется новейшая память DDR5 или даже DDR4. Чаще всего это маршрутизаторы и коммутаторы Wi-Fi. Конечно, есть ещё немало и старых и не очень ноутбуков и десктопов, где есть DDR3, их немало, так что и память этого стандарта будет требоваться ещё много лет.

Micron и Nanya продолжают производить ограниченное количество памяти DDR3. Уход Samsung и SK hynix с рынка DDR3 может способствовать повышению цен на DDR3 по мере сокращения производства. Соответственно, цены на DDR3 будут постоянно, но медленно расти, пока в этом стандарте не отпадёт необходимость.

Для большинства компаний выгоднее поставлять новую память, HBM3 и её «потомков». Естественно, когда мы говорим о прибыли, то понимаем, что корпорации будут производить именно то, что приносит больше денег.

Поэтому Samsung и SK hynix отказываются от производства DDR3 в пользу типов памяти DDR5 и HBM3. SK hynix подтвердила, что спрос на память HBM3, в частности, выходит из-под контроля из-за бума искусственного интеллекта. Уже наблюдается дефицит. Так, сообщается, что запасы HBM у SK hynix распроданы на 2024 г. и большую часть 2025 г., что приведёт к повышению цен на 5-10 процентов в следующем году для всех типов памяти HBM (HBM2E, HBM3 и HBM3E). Samsung ещё не опубликовала свои заказы на HBM, но, скорее всего, Samsung окажется в таком же положении.

Основные игроки рынка считают, что в ближайшие пару лет спрос на HBM продолжит расти. Так, в 2024 году ожидается рост на 5%, в 2025 — на 10%.

Что дальше?

Южнокорейские производители будут выпускать HBM новых стандартов, включая HBM3E и HBM4. Что касается первого типа памяти, то его уже начали выпускать, причём в больших объёмах, как и говорилось выше. Ну а HBM4 разрабатывается, что, как планируют в той же SK hynix, станет началом существенного расширения всей линейки продуктов HBM.

В 2025 и 2026 на рынок поступят первые продукты с HBM4. Сейчас известно, что этот тип памяти будет выпускаться в стеках объёмом вплоть до 36 Гб.

Соответственно, можно разрабатывать продукты, оснащаемые вплоть до 288 Гб ОЗУ. У HBM3E скорость до 9,8 Гбит/с на контакт, поэтому от HBM4 ожидается скорость выше 10 Гбит/с на контакт.

Сейчас всё больше компаний обращает внимание на HBM3, HBM3E, так что в ближайшем будущем станут появляться всё новые и новые системы с такой памятью. Кстати, есть далеко не нулевая вероятность того, что HBM4 будет устанавливаться в обновлённые модели ускорителей Blackwell, как уже случилось с текущим поколением ИИ-ускорителей Hopper H200, получивших память HBM3E.