Ещё очень давно, как только я начал интересоваться цифровой электроникой, я изучал логические элементы и сразу хотел что-то собрать на их основе, но самих микросхем логики у меня изначально не было, поэтому я решил собрать их самому на основе биполярных транзисторов NPN типа и резисторах.

Такая логика называется РТЛ (резисторно-транзисторная логика)

Велосипед я не изобрёл, просто собрал  кучу разного материала, плюс сам экспериментировал. Схемы примера собирал в программе Multisim и тестировал на настоящих транзисторах PN2222A. И вот что у меня вышло.

Инверсия (НЕ, NOT) - Логическое отрицание

Обозначение элемента НЕ и таблица истинности
Обозначение элемента НЕ и таблица истинности
Схема элемента НЕ на РТЛ
Схема элемента НЕ на РТЛ

Ключ S1 подключённый через подтягивающий резистор на землю, подаёт на базу ток и открывает транзистор, подключённый в режиме ключа, весь ток проходит через него и на выходе, грубо говоря, имеем сигнал 0, но когда мы размыкаем ключ, транзистор закрывается, ток через него не проходит, а идёт он в индикатор, и на выходе мы имеем сигнал 1. Сопротивления для каждого резистора надо подбирать, как я понял индивидуально, так как информации о РТЛ немного и нигде не пишут о конкретных сопротивлениях или формулах для их вычисления.

На схеме: X - входной сигнал, Y - выходной сигнал.

Я считаю, что элемент НЕ является основным РТЛ и именно от его схемы строятся остальные логические элементы.

Конъюнкция (И, AND) - Логическое умножение

Обозначение элемента И и таблица истинности
Обозначение элемента И и таблица истинности
Схема элемента И на РТЛ
Схема элемента И на РТЛ

Здесь ситуация поинтереснее, выходной сигнал уже снимается с эмиттера транзистора, он не инвертируется, а значит на выходе мы получим 1 только тогда, когда оба транзистора будут открыты.

На схеме: X1 - первый входной сигнал, X2 - второй входной сигнал, Y - выходной сигнал.

Если выходной сигнал брать с коллектора верхнего транзистора, то мы получим инвертированный выходной сигнал элемента И, а точнее логический элемент И-НЕ (NAND).

Дизъюнкция (ИЛИ, OR) - Логическое сложение

Обозначение элемента ИЛИ и таблица истинности
Обозначение элемента ИЛИ и таблица истинности
Схема элемента ИЛИ на РТЛ
Схема элемента ИЛИ на РТЛ

Тут снова выходной сигнал снимается с эмиттера транзистора, но уже не одного, так как транзисторы соединены не последовательно, а параллельно. И 1 на выходе мы получим, когда хотя бы один транзистор открыт.

На схеме: X1 - первый входной сигнал, X2 - второй входной сигнал, Y - выходной сигнал.

Так же как и с элементом И, мы можем соединить коллекторы транзистора вместе и снимать выходной сигнал, так мы получим инвертированный элемент ИЛИ, ИЛИ-НЕ (XOR).

Добавлю для справки преимущества и недостатки резисторно-транзисторной логики:

Достоинства:

  • Конструктивная простота;

  • Низкая стоимость.

Недостатки:

  • Высокая рассеиваемая мощность (как на включенном ключе так и на резисторах);

  • Нечёткий уровень сигналов (уровень единицы от ~0,9В до напряжения питания);

  • Крайне низкое быстродействие;

  • Низкая помехоустойчивость;

  • Сложность разработки;

  • Низкая нагрузочная способность выходов (обычно не более трёх входов других элементов).

Подводя итог, я поделился с вами схемами и достаточно простым объяснением, как работают основные элементы резисторно-транзисторной логики. Сейчас её практически не применяют, так как есть другие реализации, например, ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика), или ДТЛ (диодно-транзисторная логика).

Ещё есть очень много элементов логики, например: строгая дизъюнкция, эквивалентность, импликация, инкремент, большой раздел составных логических элементов и т.д. Все они собирались из основных логических элементов. Из более сложных, появлялись ещё более сложные, пока не выросли до микросхем, чипов, микроконтроллеров и т.д.

В следующих статьях расскажу про всё более сложную логику, триггеры, схемы на ТТЛ и ДТЛ, и постараюсь собрать рабочий компьютер (по факту калькулятор) исключительно на микросхемах цифровой логики.

Редактированние: если вы будете собирать на практике такие схему, то перед ключами нужно ставить токоограничивающий резистор, чтобы транзистор не сгорел, я не включал его в схему специально, так как хотел просто показать принцип работы логических элементов. А лучше поставить токоограничивающий резистор перед базой каждого транзистора. В схемах выше, я просто показал основное устройство логических элементов на базе РТЛ, в действительности они выглядят намного сложнее.

P. S. Это моя первая статья здесь и я не эксперт в электронике, ещё только учусь, где-то могут быть ошибки. Сильно не бейте.

Комментарии (20)


  1. engine9
    30.04.2024 07:35
    +4

    Кто знает, расскажите в чём принцип работы многоэмиттерных транзисторов. Как я понимаю используются особенности топологии самого кристалла и протекания токов по нему. Из дискретных элементов аналог не собрать.


    1. mpa4b
      30.04.2024 07:35
      +8

      С точки зрения принципов работы этой схемы, можно считать, что это полный аналог параллельно соединённых базами и коллекторами транзисторов. Тот эмиттер, что оказывается под положительным (относительно базы) потенциалом, никак на работу не влияет, а тот, что под потенциалом земли -- открывает транзистор (база подтянута к питанию через резюк).

      Такие ТТЛ элементы имели знатный баг, если вход подсоединяли к питанию напрямую (ну нужна была там, например, вечная единичка) то транзистор открывался в инверсном режиме (эмиттер и коллектор меняются местами) и всё нахрен сгорало. Потом, начиная примерно с 74LS (К555) серии стали ставить диоды Шоттки вместо этого многоэмиттерного изврата, и проблема ушла.


      1. sim2q
        30.04.2024 07:35
        +1

        Такие ТТЛ элементы имели знатный баг, если вход подсоединяли к питанию напрямую

        Интересно, не знал о таком хотя с ТТЛ много лет знаком. На схемах не подключенные выводы обычно через резистор к питанию. Хотя много ТЭЗов через меня прошло - не помню как в реале.


      1. m1kr1k
        30.04.2024 07:35
        +1

        В инверсном включении коэфиициент передачи тока небольшой, обычно не более 10, пусть даже 20. Ток через R1 при этом будет ~0.8mA, тогда ток через транзистор 0.8*20=16 (mA). От этого ничего не сгорает, вы пересказали придуманную кем-то страшилку. Неудивительно, что большинство читающих об этом никогда не слышали.


        1. mpa4b
          30.04.2024 07:35

          Ну да конечно, если у мсх 8-10 входов и каждый зацеплен к питанию, то сто с хреном мА потребления это ерунда, оно так 10 лет под питанием сможет работать.


          1. m1kr1k
            30.04.2024 07:35

            Я просто сделал оценку может ли микросхема сгореть в самом худшем случае. А если заглянуть в справочники, то оказывается входной ток нормировался не только для низкого, но и для высокого уровня - 1.6мА и 40мкА для одиночного входа соответственно. У импортных микросхем 54/74 серий значения те же самые. Надо думать разработчики догадывались что транзистор может работать в инверсном включении и предпринимали соответствующие меры. А использование диодов и тразисторов Шоттки в новых поколениях микросхем обусловлено именно требованием повышения быстродействия. Собственно, в сериях 54S/74S и в наших 530/К531, применяются многоэммитерные транзисторы Шоттки.


    1. m1kr1k
      30.04.2024 07:35

      Запирание VT2 при подаче 0 на любой из входов происходит гораздо быстрее, т.к. коллекторный ток многоэммитерного транзистора заряжает ёмкость перехода к-б транзистора VT2, иначе это делал бы базовый ток VT2, а он маленький.
      Смоделировать такой транзистор можно параллельным соединением нескольких обычных транзисторов, по крайней мере в этой схеме.