
«Примерно в то же время, когда Никита Хрущёв заявил о поддержке строительства Зеленограда, из Пенсильвании после года обучения вернулся один советский студент, Борис Малин. Борис привёз с собой небольшое устройство — SN-51 от Texas Instruments. Это была одна из первых интегральных схем, которые начали продаваться в США. С виду худощавый мужчина с тёмными волосами и глубоко посаженными глазами, Малин являлся одним из ведущих экспертов СССР в области разработки полупроводниковых устройств. Он видел себя как учёного, а не шпиона. В то же время Александр Шокин, занимавший пост председателя Госкомитета СССР по электронной технике (ГКЭТ), считал, что Советский Союз должен любыми средствами заполучить SN-51. Шокин пригласил Малина и группу других инженеров в свой кабинет, положил микросхему под микроскоп и начал разглядывать. «Скопируйте её, — скомандовал он. — Один в один, без каких-либо отличий. Даю три месяца».
— Отрывок из главы 8 книги Криса Миллера «Война чипов: борьба за самую важную технологию в мире».
В 1961 году Fairchild Semiconductor запатентовала технологию изготовления интегральных микросхем, ставшую революционной для индустрии электроники. Суть этой технологии, которая называлась «планарной»,* в том, что структура микросхемы сначала изображается в виде набора рисунков (топологий), которые затем последовательно переносятся на полупроводниковый кристалл с помощью физических и химических процессов (фотолитография и пр.).
*В математике планарность описывает свойство геометрического объекта (графа), который можно отобразить на плоскость без пересечения его линий (рёбер).

Основным преимуществом планарной технологии, благодаря которому она глубоко вошла в сферу полупроводниковой электроники, стала возможность её использования в качестве метода массового производства деталей с минимальным отклонением характеристик от спецификаций.

В октябре 1961 года компания Texas Instruments объявила о завершении разработки планарных микросхем SN51X на базе РЕТЛ (резисторно-ёмкостной транзисторной логики), а в 1962 начала их массовое производство. Линейка SN51xz стала усовершенствованной версией предыдущей линейки SN50x, вышедшей ранее в том же году. Она обеспечивала большую мощность (для фанаута) и скорость, которая была в 10 раз выше. Изначально TI выпустила шесть моделей микросхем: от SN510 до SN515. Чипы SN51X первой серии продавались дороже $400 (на современные деньги это где-то $4100).

И именно эти шесть моделей скопировали инженеры СССР. Разработкой советской планарной технологии под руководством Бориса Малина занимался отдел №5, сформированный при НИИ-35, позднее ставшим НПП «Пульсар». Но одно дело изучить и воспроизвести архитектуру, и совсем другое — понять саму технологию производства микросхемы, чтобы сохранить качество и надёжность продукта. Анализ технологического цикла реализации планарной технологии (более 300 операций) показал, что всё нужно осваивать с нуля. Над решением этой задачи работала команда из 250 человек — это были сотрудники отдела №5 и созданной при нём экспериментальной лаборатории.

Повторение американских технологий было эффективным методом так называемого «реверс-инжиниринга». После разгерметизации и вскрытия образца инженеры под микроскопом анализировали структуру функциональных областей, детально изучая планарную схему подключения транзисторов и резисторов. Полученные результаты воспроизводились в форме черновых эскизов и технологической документации.
При разработке планарной технологии основное внимание уделялось освоению промышленных методов литографии с высоким оптическим разрешением. Важную роль также сыграли разработки отдела в направлении автоматизации планарной технологии и проектирования специального технологического оборудования. Благодаря им, были созданы автоматизированные установки для обработки кремниевых пластин (очистка, нанесение фоторезиста, конвейерное окисление и так далее), основанные на пневмоавтоматике. То есть это был не просто реверс-инжиниринг одного готового продукта (микросхемы), а воссоздание всего цикла его производства. Задачей учёных было не просто создать аналогичный чип SN51X, что было несложно, а «построить завод для их выпуска». И такая задача была уже на порядки сложнее.
На организацию производства прототипов сотрудникам НИИ потребовалось три года (с 1962 по 1965). В 1967 году началась подготовка к его запуску в стенах «Опытно-показательного завода полупроводниковых приборов специального назначения» (ОПЗПП), расположенном в подмосковном городе Фрязино. Однако по факту производство стартовало только в 1969 году.
Отечественные прототипы микросхем 110-й серии именовались от ИС110 до ИС160 с шагом в один десяток. В таблице ниже они перечислены в первом столбце под графой «110-я серия».
Серийные же продукты получили другие названия: 1TK10X, 1ЛБ10X и 1ИЛ101 — второй столбец.
В середине 70-х маркировка советских микросхем изменилась. С того времени три цифры серии начали размещать в начале, сопровождая их буквами и числами, указывавшими на функциональность чипа (третий столбец).
TI |
Описание |
110-я серия |
||
SN510 |
Триггер с импульсно-потенциальным управлением |
ИС110 |
1ТК101 |
110ТК1 |
SN511 |
Триггер с импульсно-потенциальным управлением и эмиттерными повторителями на выходах 8 и 9 |
ИС120 |
1ТК102 |
110ТК2 |
SN512 |
Логический элемент 6И-НЕ (ИЛИ-НЕ) |
ИС130 |
1ЛБ101 |
110ЛБ1 |
SN513 |
Логический элемент 6И-НЕ (ИЛИ-НЕ) с эмиттерным повторителем на выходе 9 |
ИС140 |
1ЛБ105 |
110ЛБ5 |
SN514 |
Два логических элемента 3И-НЕ (ИЛИ-НЕ) |
ИС150 |
1ЛБ109 |
110ЛБ9 |
SN515 |
Полусумматор |
ИС160 |
1ИЛ101 |
110ИЛ1 |

ИС160А1
Первые микросхемы 110-й серии имели стеклянные прямоугольные корпуса с десятью выводами. Позднее число выводов увеличили до 14.
Спустя какое-то время после выпуска первых шести моделей, TI расширила серию SN51, выпустив ещё десять модификаций. Но в 110-й серии советские инженеры воспроизвели лишь три из них.
Деталь TI |
Описание |
Серия 1 |
Серия 2 |
Серия 3 |
SN516 |
Два логических элемента 2И-НЕ (ИЛИ-НЕ) с инвертором/буфером |
ИС153 |
1ЛБ1010 |
110ЛБ10 |
SN517 |
Тактовый драйвер |
|||
SN518 |
Моностабильный мультивибратор |
|||
SN5191 |
Импульсный логический элемент «Исключающее ИЛИ» |
|||
SN5101 |
RS-триггер с двумя предустановками |
|||
SN5111 |
RS-триггер с эмиттерным повторителем на выходе и двумя предустановками |
|||
SN5112 |
Счётный триггер (Vcc = 3 — 6 В) |
|||
SN5113 |
Счётный триггер (Vcc = 4 — 6 В) |
|||
SN5161 |
Три логических элемента 2И-НЕ (ИЛИ-НЕ) |
ИС132 |
1ЛБ1013 |
110ЛБ13 |
SN5162 |
Три логических элемента 2И-НЕ (ИЛИ-НЕ) с эмиттерным повторителем на выходе |
ИС142 |
1ЛБ1014 |
110ЛБ14 |

ИС142А1
Изначально микросхемы выпускались с индексами A1, A2, B1 и B2, которые позднее стали А, Б, В и Г. A и Б означали диапазон рабочих температур от -60 до +70 °C, а В и Г — диапазон от -10 до +50 °C. Микросхемы с индексами А и В отличались более высокой допустимой нагрузкой в сравнении с чипами, обозначенными Б и Г.
В 110-й серии также были микросхемы, не имевшие аналогов в серии SN51.
Описание |
Серия 1 |
Серия 2 |
Серия 3 |
Логический элемент 3И-НЕ (ИЛИ-НЕ) |
ИС133 |
1ЛБ102 |
110ЛБ2 |
Логический элемент 4И-НЕ (ИЛИ-НЕ) |
ИС134 |
1ЛБ103 |
110ЛБ3 |
Логический элемент 5 И-НЕ (ИЛИ-НЕ) |
ИС135 |
1ЛБ104 |
110ЛБ4 |
Логический элемент 3И-НЕ (ИЛИ-НЕ) с эмиттерным повторителем на выходе 9 |
ИС143 |
1ЛБ106 |
110ЛБ6 |
Логический элемент 4И-НЕ (ИЛИ-НЕ) с эмиттерным повторителем на выходе 9 |
ИС144 |
1ЛБ107 |
110ЛБ7 |
Логический элемент 5И-НЕ (ИЛИ-НЕ) с эмиттерным повторителем на выходе 9 |
ИС145 |
1ЛБ108 |
110ЛБ8 |
Два логических элемента 2И-НЕ (ИЛИ-НЕ) |
ИС154 |
1ЛБ1011 |
110ЛБ11 |
Логический элемент 2И-НЕ (ИЛИ-НЕ) и 3И-НЕ (ИЛИ-НЕ) |
ИС155 |
1ЛБ1012 |
110ЛБ12 |
Инвертор |
1ЛН101 |
110ЛН1 |
|
Инвертор с эмиттерным повторителем на выходе 9 |
1ЛН102 |
110ЛН2 |
|
Два инвертора |
1ЛН103 |
110ЛН3 |
Несколько примеров:

Выпускались эти микросхемы вплоть до 1991 года, хотя ещё в 1970 некоторые заводы СССР освоили производство чипов на основе ТТЛ (транзисторно-транзисторная логика), обладавших более широкими возможностями для применения. Возможно, выпуск этих микросхем продолжался бы и дальше, но наступила «Перестройка», СССР развалился, и завод во Фрязино оказался под угрозой банкротства.

110ИЛ1А
Микросхемы 110-й серии, выпускавшиеся в 80-х и начале 90-х, до сих пор можно встретить в прайс-листах российских компаний, торгующих электроникой. Странно, но продаются они по цене не менее $3 — $6. В отличие от более ранних моделей эти не представляют какую-либо коллекционную ценность. И неясно, где вообще могут использоваться микросхемы, разработанные 60 лет назад.
Приведённые в статье фотографии чипов взяты из коллекции автора (Vlad) и из архивов CPU Shack (образцы TI).
Комментарии (22)

Int_13h
22.02.2026 11:38Про оригинальные микры есть на всеми любимом сайте http://www.155la3.ru/sn51xx.htm

KbRadar
22.02.2026 11:38>И неясно, где вообще могут использоваться микросхемы, разработанные 60 лет назад
Для аффинажа золота вестимо...

hw_store
22.02.2026 11:38Некоторые чипы, разработанные в 60х гг, серийно производились по крайней мере до конца 90х, потому что вояки не любят вносить изменения в конструкцию своих серийных изделий. А сейчас вон у NXP на сайте не найдёшь даташитов на некоторые чипы, которые были разработаны в начале 2000х и сняты с производства в 2010х

Oangai
22.02.2026 11:38кому интересно: несколько раньше описываемых событий в СССР уже начали разрабатывать и внедрять в производство планарные микросхемы на германиевых транзисторах, к середине 60х на них уже разработали бортовую ЭВМ "Гном" для авиации, и летала она потом успешно лет тридцать. Вот тут подробнее об истории создания: http://www.155la3.ru/k102.htm , https://ru.wikipedia.org/wiki/Гном_(БЦВМ)
Главным недостатком германия был более узкий температурный режим*, изза чего этот самый гном приходилось охлаждать жидким фреоном, со всеми сопутствующими неудобствами. Разумеется, долгосрочных перспектив у этой технологии не было, тем не менее о ней стоит помнить для истории.
P.S. *не точно выразился, режим там был вполне широкий и начинался от -60, но вот верхний предел был слишком низким для практики, +60, потому и требовалось принудительное охлаждение

VladimirFarshatov
22.02.2026 11:38Только назывались они не "планарные" и "твердые схемы".. Осокин и Ко.

eugenk
22.02.2026 11:38Сама статья возможно так себе. Но публикатору огромный респект и наш скромный но искренний лайкос, за наводку на книгу «Война чипов: борьба за самую важную технологию в мире». Гуглите, ищется легко, в том числе за бесплатно. Чтиво интереснейшее ! А в самой книге ссылка на ценный (пока ещё подробно не смотрел, но думаю что это так) телеграм-канал https://t.me/importknig
Делаем любительские переводы зарубежных книг жанра non-fiction, которые ранее не выходили и, вероятно, никогда не выйдут на русском языке.

hw_store
22.02.2026 11:38Первая отечественная серия ДТЛ-логики, выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на основе кремния, с диэлектрической изоляцией элементов (тема "Титан"). Предназначена для вычислительных и цифровых устройств.
Разработчик - Воронежский ЗПП. "В КБ этого завода в 1964 году началась активная работа по созданию ИС. Группа молодых специалистов (Никишин В.И., Толстых Б.Л., Удовик А.П., Петров Л.Н., Булгаков С.С., Завальский Ю.П., Хорошков Ю.И., Черников А.И., Горлов М.И.; многие из них стали потом крупными руководителями в электронной промышленности страны) в короткие сроки разработали образцы полупроводниковых ИС, которые к концу 1966 года были переданы в серийное производство."
Источник - https://k155la3 (со ссылками на первоисточники, там же микроскопия и топология)
...вообще советское полупроводниковое производство почему-то овеяно столькими мифами и легендами, что человек нынешнего поколения запросто может запутаться. А под "планарными микросхемами" на жаргоне электронщиков вообще принято называть микросхемы в планарных (SMD-) корпусах... они появились раньше, чем DIP, очевидно потому что и то, и другое драли с запада в хронологическом порядке. Хотя, к примеру, корпус "Тропа", вероятно, является оригинальной советской разработкой.

Mike-M
22.02.2026 11:38В те времена никто не признавался в копировании оригинала. В наши дни хотя бы честно говорят, что российский автомобиль — по сути китайский.

sintech
22.02.2026 11:38Одно дело наклеить шильдик Москвич на китайский JAC, а другое дело повторить полностью весь процесс от сырья до готового продукта на отечественном оборудовании и комплектующих.

ALT0105
22.02.2026 11:38Выпускались эти микросхемы вплоть до 1991 года, хотя ещё в 1970 некоторые заводы СССР освоили производство чипов на основе ТТЛ
С конца 70-х и до начала 90-х я активно занимался разработкой цифровой техники и все это время самыми ходовыми были микросхемы ТТЛ 133 и 155 серий (134, 555, 531 и т. д.), а когда было нужно большее быстродействие - ЭСЛ (137 серия, позже - 1500). Про 110 серию даже не слышал. И ТТЛ, и ЭСЛ появились в конце 60-х годов, в 70-х они были доступны всем.
Пример: в конце 70-х я сделал сенсорный выключатель света в своей комнате дома, в котором использовал триггер 133ТМ2

Blackbird_shadow
22.02.2026 11:38Хм видели настроечную таблицу телевизионную цветную с кругом - вот она вроде как раз на ДТЛ сделана вся . ТТЛ там не валялось

ALT0105
22.02.2026 11:38110 серия в 10 раз медленнее, чем 133 серия, но для формирования телевизионной таблицы, у которой длительность строки 64 мкс, этого хватит. Для всего остального слишком медленная, и в 70-80-е годы всегда находилась несколько добавочных копеек, чтобы купить ТТЛ
LinkToOS
Статья сомнительной ценности, от неизвестного объекта "vlad", размещенная на зарубежном ресурсе.
В оригинале источники информации не указаны. Можно ли верить объекту "vlad"?
maximnik0q
Можно.Похожие цифры и факты приводил на сайте Иностранное военное обозрение автор цикла Создание советского ПРО. Очень хороший цикл без розовых очков - объясняющий почему наша электроника оказалось ...."невостребована".А то читаешь книжки с музея советской ЭВМ - так у нас все хорошо было а Старос вообще был" шпионом который наши секреты воровал" и другие фантастические истории.....:-(
Igler_U
хороший цикл статей! И в отличии от этой статьи, там рассказывается не только о копировании, но и о собственном пути СССР в создании интегральных микросхем.
VT100
На мой взгляд, Старос с "гибридками" - чрезвычайно удачный заброс тупиковой технологии в стан противника.
maximnik0q
В свое время -своя технология . На одном из заводов (нужно перечитывать цикл) была очень удачная серия гибридов-правда в основном под "силовую" электронику. Вон сейчас уже научились делать микросборки на новом уровне - когда микросхема состоит из из 2-3 и более "этажей " микросхем .Пока проблема как оказалось -тепловой барьер ,но низкочастотные микросхемы таким образом можно наращивать теоретически до 7-8 слоев ,дальше проблема деформация при тепловом колебании.
Asir
А можно ссылку на статьи?