Проверили, насколько сильно расходятся результаты расчета, полученные в быстрой 2D-системе инженерного анализа SimPCB Lite, с результатами полноволнового 3D-симулятора Ansys HFSS на примере копланарной линии (CPW) на подложке GaAs. Спойлер: по волновому сопротивлению — меньше 1% во всём диапазоне до 50 ГГц, по потерям — до ~18% на 50 ГГц, но в абсолютных цифрах это 0.04 дБ на линии длиной 2 мм. Читать, если вы проектируете СВЧ МИС и хотите понять, когда достаточно быстрого расчёта, а когда без HFSS не обойтись. 

Введение

Каждый, кто проектировал МИС (монолитные интегральные схемы) для СВЧ-диапазона, сталкивался с таким выбором: запустить быстрый расчёт в калькуляторе, который использует 2D-решатель и двигаться дальше — или открыть Ansys HFSS, построить 3D-модель, подождать несколько минут (а то и часов) и получить «правильный» ответ.

Вопрос не в том, что точнее, или у кого больше возможностей, а в том, что целесообразнее при решении тех или иных задач. Какие границы применения нетяжелого инструмента численного анализа при проектировании МИС для СВЧ-диапазона? Можно ли пользоваться его результатами на начальном этапе синтеза топологии без риска прийти к финальной верификации со структурой, которую нужно переделывать с нуля?

Мы взяли SimPCB Lite (2D-солвер на основе метода граничных элементов, BEM) и Ansys HFSS (полноволновое 3D-моделирование МКЭ) и сравнили их на типичной задаче: копланарная линия передачи (CPW) без экранирующего основания на подложке арсенида галлия (GaAs). Диапазон — от 1 до 50 ГГц, целевое волновое сопротивление — 50 Ом.

Описание модели и материалов

Структура намеренно выбрана типичной для СВЧ МИС — ничего экзотического, классическая CPW без нижней земляной плоскости (Coplanar Waveguide, без GCPW):

Параметр

Значение

Тип линии

CPW (без экранной земли снизу)

Подложка

GaAs, Er = 12.9, tan δ = 0.0006

Толщина подложки (H)

100 мкм

Металлизация

Au, σ = 45 МСм/м

Толщина металла (T)

2 мкм

Ширина центрального проводника (W)

65 мкм

Зазор до опорной плоскости (G)

45 мкм

Длина проводника (L)

2 мм

Целевое волновое сопротивление

50 Ом

Частотный диапазон

1–50 ГГц

Высокое значение диэлектрической проницаемости GaAs (Er ≈ 12.9) — это как раз тот случай, где квазистатические и аналитические формулы могут давать заметную погрешность. Это сделало задачу интересной для проверки.

Методика моделирования

Расчёт в SimPCB Lite

В SimPCB Lite выбран тип линии Coplanar Waveguide, параметры материала и геометрии введены вручную. Для частотного анализа указан диапазон 1–50 ГГц.

Под капотом SimPCB Lite для CPW использует метод граничных элементов (BEM). В отличие от объёмного разбиения сетки в МКЭ, BEM работает только на границах раздела: поверхности проводников (сигнальная линия, полигоны земли) и граница золото–GaAs–воздух. По сути, задача Лапласа для электрического потенциала сводится к поверхностному интегральному уравнению — объём диэлектрика не дискретизируется.

Это даёт два практических следствия:

  • Скорость: расчёт занимает меньше пары секунд.

  • Ограничения: метод остаётся квазистатическим по своей природе. Он не решает полную систему уравнений Максвелла в 3D, что начинает сказываться при высоких частотах, когда длина волны в диэлектрике становится сопоставима с поперечными размерами структуры.

SimPCB Lite
SimPCB Lite

Расчёт в Ansys HFSS

В HFSS построена 3D-модель сегмента линии, аналогичная структуре из SimPCB Lite. Возбуждение — Wave Ports на торцах. Анализ так же в диапазоне 1–50 ГГц с адаптивным уточнением сетки. Полное время расчёта с построением и сходимостью сетки — 5–10 минут.

Этот результат принят за эталон.

photo_2026-05-20_15-59-52.jpg
Ansys HFSS

Результаты и сравнение

Сравнение значения волнового сопротивления SimPCB Lite и Ansys от частоты

FREQ (ГГц)

Zo_SimPCB Lite (Ом)

Z0_Ansys (Oм)

Отклонение (Ом)

Отклонение (%)

1

52.29

51.87

0.30

0.81

5

51.48

51.06

0.30

0.82

10

51.34

50.92

0.30

0.82

15

51.27

50.85

0.30

0.83

20

51.22

50.8

0.30

0.83

25

51.19

50.76

0.30

0.85

30

51.16

50.73

0.30

0.85

35

51.14

50.7

0.31

0.87

40

51.12

50.68

0.31

0.87

45

51.1

50.66

0.31

0.87

50

51.09

50.64

0.32

0.89

Макс. откл-е

0.32

0.89

Диаграмма
Диаграмма

Здесь SimPCB Lite выглядит очень уверенно. Максимальное отклонение — 0.89% (0.32 Ом) на 50 ГГц. Систематическое смещение в ~0.3 Ом сохраняется по всему диапазону, что скорее говорит о небольшом константном расхождении в эффективной диэлектрической проницаемости, чем о деградации метода с ростом частоты.

Для задачи предварительного синтеза топологии (подобрать ширину проводника (W) и зазор до опоры (D) под 50 Ом) такая точность более чем достаточна.

Сравнение общих потерь SimPCB Lite и Ansys от частоты

FREQ (ГГц)

αdb_SimPCB Lite (дБ)

αdb_Ansys (дБ)

Отклонение (дБ)

Отклонение (%)

1

-0.05

-0.05

0.00

0.00

5

-0.07

-0.07

0.00

0.00

10

-0.09

-0.1

0.01

-10.00

15

-0.11

-0.12

0.01

-8.33

20

-0.13

-0.15

0.01

-13.33

25

-0.15

-0.17

0.01

-11.76

30

-0.17

-0.19

0.01

-10.53

35

-0.18

-0.21

0.02

-14.29

40

-0.2

-0.23

0.02

-13.04

45

-0.21

-0.25

0.03

-16.00

50

-0.22

-0.27

0.04

-18.52

Макс. откл-е

0.04

18.52

Диаграмма
Диаграмма

Здесь важно не потерять голову от цифры «18%» и посмотреть на абсолютные значения. На 50 ГГц SimPCB Lite даёт −0.22 дБ, HFSS — −0.27 дБ. Абсолютное расхождение — 0.04 дБ на линии длиной 2 мм. Это практически на уровне точности измерений реального устройства.

Тем не менее тренд однозначный: с ростом частоты SimPCB Lite систематически занижает потери. Причина — BEM с квазистатической сеткой упрощённо учитывает скин-эффект в тонком слое золота (2 мкм) и краевые токовые эффекты в области зазора. В HFSS эти эффекты обрабатываются более корректно через адаптивную 3D-сетку на поверхности металла.

Для большинства задач первичного синтеза это приемлемо. Но если потери — ключевой параметр (усилитель на пределе по шуму, фильтр с жёсткими требованиями по вносимым потерям), выше 25–30 ГГц доверять только SimPCB Lite не стоит.

Сравнение коэффициента S11 SimPCB Lite и Ansys от частоты

FREQ (ГГц)

S11_SimPCB Lite (дБ)

S11_Ansys (дБ)

Отклонение (дБ)

Отклонение (%)

1

-42.49

-42.89

0.28

-0.92

5

-35.53

-37.37

1.30

-4.93

10

-32.24

-34.76

1.78

-7.24

15

-31.66

-34.53

2.03

-8.31

20

-33.37

-36.54

2.24

-8.68

25

-38.50

-42.12

2.56

-8.58

30

-66.44

-64.10

1.66

3.65

35

-38.84

-41.94

2.19

-7.39

40

-34.30

-37.84

2.50

-9.35

45

-33.22

-37.08

2.73

-10.41

50

-34.61

-38.82

2.98

-10.86

Макс. откл. 

2.98

10.86

Диаграмма
Диаграмма

Здесь нужно быть аккуратным с интерпретацией. Оба инструмента показывают S11 в диапазоне от −32 до −43 дБ — это отличное согласование. Линия хорошо согласована с 50 Ом, как и должно быть при импедансе ≈51 Ом.

Относительное отклонение в ~10% от значения в дБ звучит тревожно, но физически это означает разницу в ~3 дБ между, например, −33 и −36 дБ. На таких уровнях S11 для инженерной практики это несущественно: оба результата говорят о том, что линия хорошо согласована. Принципиально важно то, что оба метода дают одинаковый качественный вывод.

Аномалия на 30 ГГц (−66 дБ у SimPCB Lite против −64 дБ у HFSS) — это совпадение резонанса при длине линии ≈ λ/2, чуть сдвинутое между двумя моделями из-за небольшого различия в расчётном Eeff. Артефакт объяснимый, не повод для тревоги.

Сравнение коэффициента S21 SimPCB Lite и Ansys от частоты

FREQ (ГГц)

S21_SimPCb Lite (дБ)

S21_Ansys (дБ)

Отклонение (дБ)

Отклонение (%)

1

-0.05

-0.05

0.00

-2.37

5

-0.08

-0.08

0.00

-2.82

10

-0.10

-0.11

0.00

-3.74

15

-0.12

-0.13

0.01

-5.57

20

-0.14

-0.15

0.01

-8.05

25

-0.16

-0.18

0.01

-10.53

30

-0.17

-0.20

0.02

-12.49

35

-0.19

-0.22

0.02

-13.87

40

-0.20

-0.24

0.03

-14.95

45

-0.22

-0.26

0.03

-16.01

50

-0.23

-0.28

0.03

-17.11

Макс. откл. 

0.03

17.11

Диаграмма
Диаграмма

S21 — это те же потери, выраженные через матрицу рассеяния. Картина аналогична разделу про потери: SimPCB Lite систематически занижает потери с ростом частоты, максимальное абсолютное отклонение на 50 ГГц — 0.03 дБ. Качественно оба инструмента описывают структуру одинаково.

Анализ результатов 

Сведем выводы, без попытки сделать из SimPCB Lite замену HFSS или, наоборот, обесценить его результаты.

Точность импеданса

Расчет волнового сопротивления Zo — сильная сторона SimPCB Lite. Отклонение менее 1% во всём диапазоне 1–50 ГГц на подложке с Er = 12.9 — это хороший результат. Для задачи «подобрать геометрию CPW практически под любой импеданс» инструмент полностью пригоден без верификации в HFSS.

Потери и S-параметры

SimPCB Lite занижает потери, и расхождение растёт с частотой. Физически это объяснимо: BEM-подход с 2D-сеткой не в полной мере воспроизводит частотно-зависимое распределение тока по периметру тонкого (2 мкм) золотого проводника — эффект, особенно значимый при глубине скин-слоя порядка единиц мкм и менее.

В абсолютных значениях расхождение невелико — до 0.04 дБ на 50 ГГц на 2-мм линии. Но если проектируется, например, многозвенный фильтр из нескольких таких секций, или схема критична по шуму, накопленная погрешность может оказаться значимой.

Граница, до которой SimPCB Lite можно доверять по потерям и S-параметрам без верификации в HFSS — около 25–30 ГГц (отклонение не превышает ~10% от значения). Выше — результаты стоит рассматривать как оценочные.

Скорость

SimPCB Lite — менее пару секунд, HFSS — 5–10 минут с учётом адаптации сетки. При параметрической оптимизации (перебор ширины проводника (W) и зазора (D) в поиске нужного импеданса) разница в скорости принципиальна: десятки итераций в SimPCB Lite против одной-двух в HFSS за то же время. Процесс проектирования, расчетов и анализа полученных результатов интерактивный и важно когда программа дает быстрые результаты, главное чтобы они при этом были релевантными. Это позволяет намного быстрее сделать варианты топологических структур с различными допусками и банально сэкономить время.  

Границы применимости и частотные ограничения

Точность квазистатического BEM-подхода определяется тем, насколько оправдано пренебрежение распространением поля вдоль линии — то есть соотношением поперечных размеров структуры и длины волны в диэлектрике (λd).

Для GaAs (Er = 12.9) с подложкой 100 мкм:

  1. До 30 ГГц — отклонения по S-параметрам и потерям не превышают ~10%, что приемлемо для задач первичного синтеза.

  2. Выше 30 ГГц — начинает сказываться частотная дисперсия эффективной диэлектрической проницаемости (Eeff(f)), которую 2D-квазистатическая модель учитывает приближённо. Результаты SimPCB Lite на этих частотах следует воспринимать как ориентировочные.

  3. Геометрический фактор: при соотношении W/H > 5 или очень узких зазорах (D < 10 мкм) точность формул для Eeff и Zo снижается — в таких случаях стоит сразу переходить к 3D-верификации.

  4. Волновое сопротивление: по этому параметру граница применимости шире — до 50 ГГц погрешность остаётся в пределах 1%.

Заключение

SimPCB Lite — рабочий инструмент для первичного синтеза топологии СВЧ МИС. Не замена HFSS, но и не «примерный калькулятор» — если понимать его ограничения.

Ключевые выводы:

  • По волновому сопротивлению — погрешность менее 1% во всём диапазоне до 50 ГГц. Достаточно для итерационного подбора геометрии CPW.

  • По потерям и S-параметрам — надёжен до ~25–30 ГГц. Выше — занижает потери, максимальное абсолютное отклонение на 50 ГГц составляет 0.04 дБ (S21) и 0.03 дБ (αdb) для 2-мм линии.

  • Скорость — принципиальное преимущество SimPCB Lite при параметрической оптимизации.

  • Рекомендованный workflow: SimPCB Lite для быстрого синтеза геометрии → Ansys HFSS для финальной верификации, особенно при работе выше 30 ГГц, структурах с вертикальными переходами (via) или многослойными подложками.

Для типичных задач — расчёт линий передачи, делителей мощности, согласующих цепей в диапазоне до Ka — инструмент даёт достаточную точность при многократно меньших затратах времени.

Чек-лист: настройка SimPCB Lite для расчёта СВЧ МИС

Если вы впервые настраиваете расчёт CPW на полупроводниковой подложке — вот семь мест, где легко ошибиться:

  1. Единицы измерения — вводите размеры в мкм. МИС-топология в mils или мм приведёт к ошибкам округления при микронных зазорах.

  2. Стек слоёв (Stackup) — толщина диэлектрика H = 100 мкм, Er = 12.9, tan δ = 0.0006 для GaAs.

  3. Металл — замените стандартную медь на золото (Au). Критично: установите толщину металла T = 1–3 мкм. Значение «по умолчанию» в 35 мкм (типичная медь на PCB) даст неверный расчёт ёмкости и импеданса.

  4. Шероховатость (Roughness) — для полупроводниковых подложек после полировки ставьте 0.05–0.1 мкм или 0. Это не PCB.

  5. Тип линии — выбирайте Coplanar Waveguide (CPW, без земли снизу) или Grounded CPW (GCPW, с землёй на обратной стороне кристалла) в зависимости от структуры.

  6. Частотный диапазон — задайте достаточно мелкий шаг для гладких графиков S-параметров. Особенно важно вблизи резонансов при длине линии ≥ λ/4.

  7. Верификация импеданса — если расчётный Zo отличается от целевого, используйте функцию обратного расчёта: задайте Zo = 50 Ом, и программа сама вычислит нужную ширину проводника W.

______________________________________________________________________________

Комментарии (2)


  1. KstnRF
    22.05.2026 15:39

    Подскажите, где в МИС используются просто дорожки? Тем более 50 Ом?

    Литература по GaAs и измерения говорят что для частоты 50 ГГц диэл. проницаемость 12.9 завышена.


    1. PCB-network Автор
      22.05.2026 15:39

      Вы абсалютно правы, данный пример взять для удобства расчёта. Но тенденция отклонения волнового сопротивления от 20 - 100 Ом, потерь и S коэф. в таком частотном диапазоне, в двух программах будет такой же.

      Значение диэл. прониц. 12,9 справедливо только по постоянному току и при низких частотах.

      Реальное значение в диапазоне 40–60 ГГц диэл. прониц. от 12.4 до 12.5.

      На кристалле МИС «просто дорожки» (микрополосковые линии или копланарные волноводы CPW) выполняют конкретные роли, но практически никогда не имеют импеданс 50 Ом во внутренних цепях. Именно из за конструктивных ограничений. Типичная толщина подложки GaAs в МИС на 50 ГГц составляет всего 100 мкм (иногда 75 мкм) для снижения паразитных резонансов и отвода тепла.для получения 50 Ом, ширина дорожки должна быть примерно 70–80 мкм. На кристалле, где размеры транзисторов исчисляются микронами, дорожка шириной 80 мкм — это огромный «аэродром», занимающий дефицитную площадь полупроводника.

      • Как вариант использования таких линий, это шлейфы согласования (Stub lines): Короткие отрезки линий, замкнутые или разомкнутые на конце. Они работают как эквиваленты индуктивностей или емкостей. Их импеданс специально делают высокоомным (70–90 Ом) для получения индуктивного характера (тонкие дорожки) или низкоомным (20–30 Ом) для емкостного характера (широкие дорожки).

      • Так же в цепях смещения (Bias lines): Дорожки для подачи питания на затворы/стоки транзисторов. Их делают максимально тонкими (высокий импеданс, более 90–100 Ом), чтобы они не шунтировали СВЧ-сигнал, и дополняют четвертьволновыми трансформаторами.

      • В моей практике, где в МИС на 50 ГГц есть 50 Ом — это контактные площадки (RF pads) на самом краю кристалла и соединяющие их микроскопические копланарные линии. Возможно есть и в других местах.