Теперь процессоры будут делать по циклу «процесс-архитектура-оптимизация»



Как публичная компания с более 10 млн $ в активах, акциями которой владеют более 500 акционеров, Intel предоставила Комиссии по ценным бумагам и биржам США ежегодный отчёт по форме 10-K. Особенный интерес в 150-страничном документе представляет страница 14, на которой Intel признаёт, что отказывается от стратегии «тик-так» в пользу новой концепции «процесс-архитектура-оптимизация».

Tick-Tock — модель развития микропроцессоров, которой Intel пользуется с 2007 года. В определённые промежутки времени технологии позволяют уменьшить размер элементов на плате, что позволяет снизить энергопотребление и уместить большее количество транзисторов на кристалле того же размера. Если можно уместить больше элементов, то возможна новая микроархитектура: добавляются новые команды, улучшается логика работы, увеличивается количество разных элементов.

Стратегия «тик-так» разделяет два процесса. За «тик» транзисторы становятся меньше. Изменения микроархитектуры есть, но они незначительны. «Так» означает создание новой микроархитектуры, то есть большие, иногда фундаментальные изменения в целях достижения больших приростов производительности.

Такими шажками Intel двигается уже почти 10 лет. Каждый из них занимает от года до полутора лет. Но в последнее время уменьшать техпроцесс становится всё сложнее. При переходе с 22 до 14 нанометров появились задержки в 6—9 месяцев. В это время приходилось повышать процент выхода работоспособных чипов с пластин до допустимого по себестоимости уровня. Закон Мура, который описывает удваивание количества транзисторов на кристалле каждые 24 месяца, приходится корректировать.

В дальнейшем планируется переход до 10, а затем и 7 и 5 нанометров. Достижение новых рубежей означает возможное использование литографии в глубоком ультрафиолете, Self-Aligned Quadruple Patterning (SAQP), отказ от кремния в пользу III-V полупроводников, карбоновых нанотрубок и графена.


Слайд из презентации год назад.

Документ для Комиссии по ценным бумагам и биржам затрагивает общий курс разработок Intel. Компания объясняет, что будет увеличено общее время использования продуктов на текущем техпроцессе в 14 нанометров и будущем в 10 нм. Но будет сохраняться рыночный темп выпуска новых продуктов. Как это будет достигнуто? Intel даёт изображение, которое в этом посте размещено до ката. В нём «тик-так» называется вчерашней технологией, а текущей реальностью объявлен цикл из трёх шагов «процесс-архитектура-оптимизация» (PAO).

14 нанометров помог отработать «тик» Broadwell, последователь 22-нм Haswell. Текущая микроархитектура Intel — это Skylake, шестое поколение Core, «так» 14-нанометрового техпроцесса. Его последователь, Kaby Lake, тоже будет 14-нанометровым, но будет предоставлять «значительные улучшения производительности по сравнению с семейством процессоров шестого поколения Core».

Достичь 10 нанометров может помочь упоминаемое в документе сотрудничество с ASML по исследованию фотолитографии в глубоком ультрафиолете, в том числе применимой к пластинам диаметров в 300 и 450 миллиметров. Intel пока что сохраняет лидерство: 14 нм были представлены в августе 2014 года, Samsung и TSMC подтянулись позже.

Ожидается, что 14-нанометровый Kaby Lake будет выпущен в этом году. Согласно текущим планам, продукты на 10-нанометровой микроархитектуре Cannonlake должны появиться в 2017 году. В трёхступенчатом цикле легко увидеть очевидные плюсы для конечного пользователя: одна и та же материнская плата может подойти для продуктов двух или более поколений.

Комментарии (117)


  1. pali
    26.03.2016 23:24
    +2

    Достичь 10 нанометров может помочь упоминаемое в документе сотрудничество с ASML по исследованию фотолитографии в глубоком ультрафиолете, в том числе применимой к пластинам диаметров в 300 и 450 миллиметров.

    Samsung собирается делать 10 нм процесс на иммерсионной литографии, TSMC тоже, к 2017 году оба производителя будут массового производить пластины, Интел собирается к концу 2017 подключиться. Глубокий ультрафиолет эти компании собираются не раньше 7 нм внедрять, просто не на чем, EUV сканеров по миру есть не больше десятка, поправьте, если не прав.
    Начиная с 90 нм где-то все используют 300 мм пластины, 200 мм экономически уже не выгодны. Я знаю про существование одного единственного 450 мм сканера от Никона, который стоит в университете штата Нью-Йорк (SUNY), это значит, что в скором будущем процесса на 450 мм пластины ещё не будет.


    1. a5b
      27.03.2016 17:11
      +1

      EUV сканеров по миру есть не больше десятка, поправьте, если не прав.

      Да, однако год назад проходила информация о заказе на 15 NXE:3350B EUV (4-е поколение nxe):
      http://www.kitguru.net/components/graphic-cards/anton-shilov/asml-sells-15-euv-lithography-scanners-possibly-to-intel/ ASML sells 15 EUV lithography scanners, possibly, to Intel — April 23rd, 2015; http://optics.org/news/6/4/31 22 Apr 2015
      На октябрь 2015 — http://www.telegraaf.nl/dft/nieuws_dft/article24614198.ece/BINARY/Cijfers+derde+kwartaal+ASML.pdf — "NXE:3350B shipments — Target: 6 — First shipment of NXE:3350B in process with an additional 3 NXE:3350B systems on order with 2 shipments expected in Q4 2015 and 1 in 2016"
      Несколько установок NXE:3300 (B) — 1 в Q1-Q2 2015 http://optics.org/news/6/10/10 в дополнение к 2+3+6 NXE:3300B https://staticwww.asml.com/doclib/misc/asml_20140306_EUV_lithography_-_NXE_platform_performance_overview.pdf#page=9 (часть из запланированных 3300 возможно обновили до 3350?) +6 NXE:3100.
      В сентябре 2015 производитель EUV оценивал начало массового производства 7 нм с применением EUV в 2018 году:
      http://www.semicontaiwan.org/zh/sites/semicontaiwan.org/files/data15/docs/3_20150825_semicon_taiwan_sept_3_web_site.pdf
      • EUV insertion is currently focusing on the 7nm node
      •• Production 2018, production system shipments 2017
      •• Insertion will be determined by the production readiness of EUV versus the complexity of multiple patterning
      • EUV initially will replace the most difficult multiple patterning layers
      •• Other layers will remain allocated to immersion for the foreseeable future
      • DUV and EUV will be available in parallel for many years to come


      1. pali
        27.03.2016 20:00
        +2

        Если верить википедии, то по состоянию прошлого года было поставленио 16 систем: шесть 3100, восемь 3300 и две 3350.
        Но NXE:3100 вряд ли будут использовать в массовом производстве, и кроме Интела ещё никто не купил достаточное количество сканнеров для тестирования процесса, к тому же 7 нм EUV будут сразу делать мультипаттернингом, если судить по результатам IBM/GloFo.
        А так как 10 нм ожидается в 2017, то 7 нм, а значит и EUV, массово появится в 2019 или 2020. Причем производителей будет очень мало: Intel, TSMC, Samsung, и возможно GloFo с SK Hynix.