18 августа на форуме IDF 2015 компания Intel провела презентацию технологии 3D XPoint. Память нового типа выпустят в 2016 году, а продукты появятся на рынке под маркой Intel Optane. Это будут и модули DIMM для высокопроизводительных систем Xeon, и SSD-накопители формата PCIe для ноутбуков, персональных компьютеров и серверов.
В конце июля Intel совместно с Micron Technology объявили о революционном прорыве в энергонезависимой памяти. 3D XPoint на порядок быстрее и надёжнее по сравнению с памятью NAND. Кроме того, она имеет в десять раз более высокую плотность размещения компонентов по сравнению с памятью DRAM.
Вообще, впервые за четверть века создана принципиально новая технология хранения данных, которая может заменить флеш-память.
Во время презентации сотрудник Intel показал реально работающий прототип Optane PCIe SSD и запустил несколько тестов на количество операций ввода-вывода в секунду (IOPS). Производительность сравнивалась со стандартным SSD-накопителем Intel SSD DC P3700.
В тесте на чтение с глубиной очереди 1, где флеш-накопители традиционно слабы, Optane PCIe SSD показал производительность в 7,23 раза выше, чем Intel SSD DC P3700.
Комментарии (10)
venyaz
19.08.2015 16:43Забавно, что память будет выпускаться не только в виде PCI-E устройств, но и в форм-факторе DIMM.
Sadler
19.08.2015 20:32Почему забавно? Логично же, если постоянная память будет не медленнее и не дороже оперативной, вообще отпадёт необходимость их разделения как на уровне железа, так и на уровне ОС. Потому интерфейс следует оценивать в первую очередь по его пропускной способности, а не историческому предназначению. Когда-то роль такой универсальной памяти прочили мемристорам, но они так и не появились в магазинах. Может быть, у интела выйдет лучше.
a5b
19.08.2015 20:47Вряд ли Optane сможет заменить оперативную память, из-за невысокого количества перезаписей (всего «в тысячу раз» лучше чем у Flash). По предположению The Platform, Optane станет промежуточным уровнем в иерархии памяти — между DRAM и Flash: www.theplatform.net/2015/07/29/scaling-the-growing-system-memory-hierarchy — Scaling The Growing System Memory Hierarchy July 29, 2015 Timothy Prickett Morgan
"“My belief is that they fit in between SSDs and DRAM, and DRAM may have a hierarchy unto itself,” says Klein" (Dean Klein, VP Memory System Development at Micron Technology, Inc.)Sadler
19.08.2015 20:52+2Технология пока достаточно сырая, посмотрим, что они выжмут из неё к моменту появления на рынке.
a5b
19.08.2015 20:00Предыдущий пост про эту память — geektimes.ru/post/259576
«Intel, совместно с Micron Technology, уже в этом году, совершат революционный прорыв в энергонезависимой памяти» — 31 июля 2015, EvilGenius18
www.theplatform.net/2015/08/18/intel-reveals-plans-for-optane-3d-xpoint-memory Intel Reveals Plans For Optane 3D XPoint Memory — August 18, 2015, Timothy Prickett Morgan, The Platform
3D XPoint memory, which can split the difference between volatile DRAM memory and non-volatile NAND flash memory in terms of performance, addressability, and cost. To put it simply, 3D XPoint will have about 1,000 times the performance of NAND flash, 1,000 times the endurance of NAND flash and about 10 times the density of DRAM.
Т.е. Optane лишь в несколько раз плотнее DRAM (у dram сейчас кристаллы по 4-8 Гбит), и, соответственно в несколько раз менее плотная чем современные NAND Flash (128-256 Гбит/кристалл).
The cost of capacity will also be somewhere between that of DRAM and NAND flash, but where that slider on price ends up depends on demand, manufacturing ramp, and other factors…
The initial 3D XPoint memory chips that Intel and Micron are producing in their joint fab in Lehi, Utah have 128 Gbits of capacity and use two layers of cells; that yields 16 GB capacity per chip…
and thus far all the company will say is that they will be coming sometime in 2016.DjOnline
20.08.2015 17:47>>about 10 times the density of DRAM
Это вообще-то переводится как в 10 раз более плотная чем DRAM.a5b
20.08.2015 18:12Да, и при этом она уже почти такая же плотная как NAND Flash — geektimes.ru/post/259576
«Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных. „
“Изначальная технология позволяет хранить 16 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти»
16 ГБайт = 128 Gbit
www.theplatform.net/2015/08/18/intel-reveals-plans-for-optane-3d-xpoint-memory
«The initial 3D XPoint memory chips that Intel and Micron are producing in their joint fab in Lehi, Utah have 128 Gbits of capacity and use two layers of cells; that yields 16 GB capacity per chip.»
Сравнение с DRAM на слайдах (8x-10x) — habrastorage.org/files/009/6a2/4a2/0096a24a21e047ccbc0a96a2517cf92f.png
marvin
Так и ничего не известно о емкости этих накопителей в реальных продуктах )
WanderVlad
… равно как и о стоимости производства, что напрямую повлияет на стоимость конечного продукта.
Gothician
В корпоративном секторе гораздо важнее надежность и скорость. При цене, не выходящей за разумные пределы, конечно. Но все равно с массовым продуктом сравнивать нельзя.