Корейский технологический гигант SK Hynix — один из мировых лидеров по разработке и производству чипов оперативной памяти — в своем пресс-релизе заявил о полноценном внедрении новой EUV-литографии 1anm для производства мобильной оперативной памяти типа LPDDR4 (Low-Power Double Data Rate) по технологии 10 нм. Этот же техпроцесс будет в будущем применяться и для производства памяти DDR5.
Изначально LPDDR1 — это видоизмененная память SDRAM со сниженным энергопотреблением для применения в мобильных и прочих энергозависимых устройствах. Основная область использования LPDDR — смартфоны, ноутбуки, планшеты и прочие мобильные и носимые устройства, обладающие достаточными вычислительными мощностями для утилизации памяти подобного типа, но при этом чувствительные к электропитанию.
Первое поколение подобной продукции, с индексом 1xnm DRAM (поколения маркируются по латинскому алфавиту — 1x, 1y, 1z и теперь 1a) пошло в массовое производство в начале 2016 года. С тех пор SK Hynix активно развивает это направление продукции, улучшая показатели производимой оперативной памяти.
Новые модули LPDDR4 будут иметь объем от 8 Гб на модуль и базовую тактовую частоту в 4266 МГц. Новая память будет на 20% энергоэффективнее предыдущего поколения LPDDR4 от SK Hynix. Сейчас это является практически максимальным значением для оперативной памяти поколения DDR4 и одним из лучших показателей для энергосберегающей памяти для мобильных устройств. Также корейскому производителю удалось не только улучшить показатель энергопотребления по сравнению с 1znm-поколением, но и увеличить плотность чипов на кремниевой пластине. По заверениям производителя, этот показатель вырос на 25%.
Этот пресс-релиз демонстрирует, что при общей ориентации ведущих производителей оперативной памяти на новый стандарт DDR5, актуальная сейчас DDR4 будет некоторое время продолжать свое развитие. Объективно, стандарт DDR5 относительно имеющихся и планируемых к выпуску процессоров сейчас избыточен: базовый такт в 4800 МГц и до 8000 МГц в перспективе, низкий вольтаж и высокая плотность чипов дают серьезный запас прочности для развития центральных процессоров.
Выпуск же новых типов памяти DDR4, в том числе и для мобильного сегмента — логичный реверанс в сторону производителей смартфонов, планшетов и прочих устройств, которые в ближайшие 3-4 года просто физически не смогут получить процессоры, способные эффективно работать с памятью DDR5. Прямо говоря, существующие мобильные решения не способны до конца утилизировать даже потенциал полноценных модулей DDR4, не говоря уже о вдвое более быстрой DDR5. Так что развитие актуального стандарта с увеличением его энергоэффективности вместо погони за быстрыми продажами, которые будут просто зашкаливать на массовом старте DDR5 — хороший знак для индустрии.
При этом SK Hynix должны быть в курсе прогнозов специалистов: к 2026 году 90% продаж памяти будут приходиться на модули DDR5, что, впрочем, обычное развитие событий. Примерно с той же скоростью рынок захватывала память DDR4. Намного интереснее прогнозы для первых двух лет: аналитики считают, что с момента запуска модулей DDR5 в розницу с последующим выходом соответствующих процессоров, способных работать с этой памятью, на нее придется от 40 до 60% продаж за указанный период. Это означает стремительное выдавливание DDR4 из масс-маркета и переход этой памяти в сегмент OEM-продукции, как случилось сейчас с модулями стандарта DDR1-DDR3. Пусть на эту память сейчас приходится всего около 2% мировых производственных мощностей, но она до сих пор активно используется в производстве простой электроники, бытовой техники и некоторых других товаров и устройств, имеющих длительный цикл жизни.
Также выпуск модулей LPDDR4 поможет окончательно обкатать новую технологию EUV-литографии, что не только увеличит качество будущей продукции нового поколения, но и ускорит переход к работе в масштабе 5 и 3 нм.
Изначально LPDDR1 — это видоизмененная память SDRAM со сниженным энергопотреблением для применения в мобильных и прочих энергозависимых устройствах. Основная область использования LPDDR — смартфоны, ноутбуки, планшеты и прочие мобильные и носимые устройства, обладающие достаточными вычислительными мощностями для утилизации памяти подобного типа, но при этом чувствительные к электропитанию.
Первое поколение подобной продукции, с индексом 1xnm DRAM (поколения маркируются по латинскому алфавиту — 1x, 1y, 1z и теперь 1a) пошло в массовое производство в начале 2016 года. С тех пор SK Hynix активно развивает это направление продукции, улучшая показатели производимой оперативной памяти.
Новые модули LPDDR4 будут иметь объем от 8 Гб на модуль и базовую тактовую частоту в 4266 МГц. Новая память будет на 20% энергоэффективнее предыдущего поколения LPDDR4 от SK Hynix. Сейчас это является практически максимальным значением для оперативной памяти поколения DDR4 и одним из лучших показателей для энергосберегающей памяти для мобильных устройств. Также корейскому производителю удалось не только улучшить показатель энергопотребления по сравнению с 1znm-поколением, но и увеличить плотность чипов на кремниевой пластине. По заверениям производителя, этот показатель вырос на 25%.
Этот пресс-релиз демонстрирует, что при общей ориентации ведущих производителей оперативной памяти на новый стандарт DDR5, актуальная сейчас DDR4 будет некоторое время продолжать свое развитие. Объективно, стандарт DDR5 относительно имеющихся и планируемых к выпуску процессоров сейчас избыточен: базовый такт в 4800 МГц и до 8000 МГц в перспективе, низкий вольтаж и высокая плотность чипов дают серьезный запас прочности для развития центральных процессоров.
Выпуск же новых типов памяти DDR4, в том числе и для мобильного сегмента — логичный реверанс в сторону производителей смартфонов, планшетов и прочих устройств, которые в ближайшие 3-4 года просто физически не смогут получить процессоры, способные эффективно работать с памятью DDR5. Прямо говоря, существующие мобильные решения не способны до конца утилизировать даже потенциал полноценных модулей DDR4, не говоря уже о вдвое более быстрой DDR5. Так что развитие актуального стандарта с увеличением его энергоэффективности вместо погони за быстрыми продажами, которые будут просто зашкаливать на массовом старте DDR5 — хороший знак для индустрии.
При этом SK Hynix должны быть в курсе прогнозов специалистов: к 2026 году 90% продаж памяти будут приходиться на модули DDR5, что, впрочем, обычное развитие событий. Примерно с той же скоростью рынок захватывала память DDR4. Намного интереснее прогнозы для первых двух лет: аналитики считают, что с момента запуска модулей DDR5 в розницу с последующим выходом соответствующих процессоров, способных работать с этой памятью, на нее придется от 40 до 60% продаж за указанный период. Это означает стремительное выдавливание DDR4 из масс-маркета и переход этой памяти в сегмент OEM-продукции, как случилось сейчас с модулями стандарта DDR1-DDR3. Пусть на эту память сейчас приходится всего около 2% мировых производственных мощностей, но она до сих пор активно используется в производстве простой электроники, бытовой техники и некоторых других товаров и устройств, имеющих длительный цикл жизни.
Также выпуск модулей LPDDR4 поможет окончательно обкатать новую технологию EUV-литографии, что не только увеличит качество будущей продукции нового поколения, но и ускорит переход к работе в масштабе 5 и 3 нм.